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Samsung lleva el apilamiento de NAND a 900 capas
Samsung dice que ha construido un prototipo de un chip V-NAND de 900 capas, un hito que suena absurdo hasta que recuerdas lo rápido que el hardware de IA está devorando almacenamiento y memoria. La co
Samsung dice que ha construido un prototipo de un chip V-NAND de 900 capas, un hito que suena absurdo hasta que recuerdas lo rápido que el hardware de IA está devorando almacenamiento y memoria. La compañía también está preparando NAND de décima generación de 400 capas para producción en masa, dándole una estrategia de dos vías: enviar el siguiente peldaño de capacidad ahora y mantener el laboratorio ocupado persiguiendo una pila aún más alta.
El prototipo de V-NAND de 900 capas usa Cell Multi-Bonding, un proceso que fusiona dos obleas de 450 capas en un solo chip. Ese tipo de apilamiento no es solo para presumir; una NAND más densa puede mejorar la capacidad de almacenamiento y reducir el consumo de energía, que es exactamente lo que quieren los sistemas con mucha IA cuando cada vatio y cada byte cuentan.
Prototipo de V-NAND de 900 capas de Samsung
Samsung fue la primera empresa en comercializar la memoria flash 3D V-NAND en 2013, así que esto no es un salto al azar de un recién llegado. Cuanto más altas son las pilas, más se acumulan los dolores de cabeza de ingeniería: deformación de las obleas, desalineaciones y los habituales problemas derivados de la física.
Para abordar eso, Samsung se ha apoyado en un diseño Upper Chuck y en la tecnología Overlay Correction, al tiempo que ha refinado sus estructuras de Bitline y Wordline para reducir el tamaño del chip y el consumo de energía. En otras palabras, esto no es solo «más capas»; es mucho trabajo de proceso poco glamuroso para evitar que un sándwich muy alto se derrumbe.
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La carrera de la NAND con SK Hynix y YMTC
El momento elegido por Samsung también muestra dónde se está intensificando la competencia. Antes de esto, SK Hynix lideraba el segmento de NAND de muchas capas con chips de 321 capas, mientras que YMTC ya pasó a la producción en masa de NAND de 294 capas, ayudada por un importante apoyo estatal chino y un impulso para localizar el suministro de equipos.
Eso hace que el trabajo de Samsung con 900 capas sea menos un proyecto de vanidad y más un movimiento defensivo. El mercado de NAND se ha convertido en una carrera no solo por la densidad, sino por la resiliencia en la fabricación, porque quien pueda seguir escalando mientras otros aún luchan con problemas de rendimiento (yield) obtendrá poder de negociación frente a clientes de la nube y de IA.
Lo que Samsung está intentando proteger
Samsung tiene la historia a su favor, pero la historia no envía chips. Al acelerar su investigación de 900 capas mientras prepara la producción de 400 capas, la compañía intenta mantener su ventaja en un mercado donde los rivales están cerrando la brecha y los gobiernos apoyan con más agresividad a los campeones locales.
La pregunta más grande es si la industria realmente querrá comprar estas pilas extremas tan rápido como los vendedores pueden diseñarlas. Si la demanda de IA se mantiene tan alta, la apuesta de Samsung parece inteligente. Si los precios se debilitan o los rendimientos se vuelven problemáticos, la primera compañía en alcanzar las 900 capas podría ser también la que tenga que demostrar que la economía aún tiene sentido.
Frontier Editor
Dan is our resident futurist, covering electric mobility, space exploration, and the smart home. He's interested in atoms just as much as bits. Whether it's a new battery chemistry, a reusable rocket, or a protocol that finally makes IoT devices talk to each other, Dan breaks down the engineering that pushes humanity forward.
