Samsung lleva V-NAND hasta 900 capas en un chip prototipo

Samsung supuestamente ha construido un prototipo de memoria flash V-NAND de clase 900 capas, un movimiento que acapara titulares en el mercado de V-NAND que está siendo presionado por la demanda de IA y por la competencia más dura de SK Hynix y la china YMTC. El chip todavía está en fase de investigación, pero si la afirmación se confirma, muestra que Samsung no está dispuesto a conformarse con quedarse atrás en la parte de la industria que decide quién obtiene el almacenamiento más denso y energéticamente eficiente.

El prototipo supuestamente utiliza Cell Multi-Bonding, o CMB, que combina dos obleas de 450 capas en un solo chip. Ese es el tipo de truco de ingeniería al que se recurre cuando el apilamiento vertical directo empieza a resultar engorroso, caro o ambas cosas. Samsung también ha estado preparando la producción en masa de la NAND de décima generación de 400 capas, por lo que la compañía parece seguir una estrategia de doble vía: enviar lo que pueda generar dinero ahora y mantener la presión para elevar el techo en el laboratorio.

Cómo Samsung alcanzó las 900 capas de V-NAND

Samsung fue la primera compañía en comercializar la V-NAND 3D en 2013, y la idea básica no ha cambiado: apilar más capas para incluir más almacenamiento sin hacer el chip físicamente más grande. Lo difícil es que más capas también significan más deformación de las obleas, más desalineación de la pila y más formas en que la fabricación puede salir mal. Samsung dice que ha abordado esos problemas con un diseño Upper Chuck y tecnología de Overlay Correction, además de mejorar las estructuras de Bitline y Wordline para reducir el consumo de energía y el tamaño del chip.

• Prototipo: memoria flash V-NAND de clase 900 capas
• Método: Cell Multi-Bonding, que combina dos obleas de 450 capas
• Objetivo de producción relacionado: flash NAND de décima generación de 400 capas
• Punto de referencia anterior: chips NAND de 321 capas de SK Hynix

El almacenamiento para IA está impulsando la carrera

El momento no es casual. El entrenamiento y la inferencia de IA consumen ancho de banda de memoria y capacidad de almacenamiento, por eso los fabricantes de NAND de repente hablan como apiladores de chips en una convención de rascacielos. Más capas significan mayor densidad y, en teoría, mejor eficiencia para cargas de trabajo exigentes, exactamente el tipo de argumento que quieren los compradores a medida que los centros de datos siguen expandiéndose y los presupuestos energéticos se ajustan.

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La urgencia de Samsung también tiene sentido ante el ascenso de YMTC. La empresa china ya está produciendo en masa chips NAND de 294 capas, apoyada por respaldo estatal y un impulso para localizar las cadenas de suministro de equipos. Eso no hace que la ventaja de Samsung desaparezca, pero sí significa que la antigua estrategia de simplemente superar a los rivales por escala se está volviendo más cara y menos cómoda.

Qué cambia el prototipo de 900 capas

Por ahora, esto sigue siendo un prototipo, no un producto que se pueda comprar. Pero las hojas de ruta de los semiconductores suelen importar mucho antes de la disponibilidad comercial, porque señalan dónde residirá el poder para fijar precios y la influencia en la cadena de suministro a continuación. Si Samsung puede pasar de la investigación de 900 capas a una producción estable mientras los rivales siguen poniéndose al día, podría reforzar la posición de la compañía en el almacenamiento empresarial justo cuando el gasto en infraestructura de IA sigue inclinando el mercado hacia NAND más densa.